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前言

增强型GaN器件由于其优异的高频开关特性使得产品具有更高的能效和功率密度，从而减小充电器的体积和重量，在消费类的PD快充已经取得了广泛应用。目前的增强型GaN器件主要是采用各类DFN封装形式，由于DFN贴片封装具有较低的寄生参数，其非常适合GaN器件工作在较高的开速度和开关频率。

但是DFN封装的散热能力不足，不易进行系统热设计，且封装成本较高，限制了增强型GaN器件在更多场景的应用。据充电头网获悉，能华半导体为此于近期推出了TO252封装的增强型GaN器件CE65E300TOBI，以及采用该器件的适配器电源的应用解决方案。

增强型GaN器件CE65E300TOBI

在一些应用场景，例如照明行业和适配器行业，低成本和高可靠性是客户优先考虑的；而TO封装成本比DFN低80%左右；还有在大功率应用场景，例如家电电源、模块电源、微逆变器、户外电源、适配器电源等，大多采用TO封装来满足散热需求，例如TO252，TO220，TO247，TOLL等。相对DFN贴片封装，TO封装的体积更大，散热能力和瞬态热阻都更好，耐热冲击能力更强，散热设计更简单，适合热可靠性要求高、电流冲击大的应用。

但是TO封装的寄生一般都比DFN封装要更大，在器件的开关沿，栅极和漏源极寄生电感会导致器件的栅压上耦合较大的尖峰电压，器件的栅极可靠性和驱动可靠性存在一些风险。对于栅压可靠性范围较窄和阈值电压较低的增强型GaN器件，TO封装寄生带来的风险不可忽视。

能华半导体推出的增强型GaN器件具有独特的高阈值电压的特点，可以有效的防止栅极耦合的电压尖峰导致器件的误触发开通，并且具有较好的栅极和驱动的可靠性。

基于能华半导体器件的优异特性，TO252封装的增强型GaN器件CE65E300TOBI应运而生。CE65E300TOBI是一颗导阻300mR的650V 增强型GaN器件，瞬态耐压达到750V。该器件采用普通标准的TO252封装，不仅具有较强的散热能力，抗冲击电流能力也较强；同时相对DFN封装的增强型GaN器件，其封装成本也低很多。

在性能方面，CE65E300TOBI可以提升电源系统的效率，降低损耗和温升；同时相对传统的MOSFET方案，CE65E300TOBI可以提升系统开关频率，增加功率密度，缩小电源系统的体积，降低成本。

采用CE65E300TOBI的GaN适配器电源方案

能华同时也推出了12V3A/36W 的GaN适配器电源方案，采用这颗TO252封装的增强型GaN器件CE65E300TOBI。相对传统的适配器，体积缩小1/3以上，四点平均效率提高了1.5%；该方案通过了EMI测试，并且在输出接地时，EMI辐射也有10dB以上的裕度。

总结

能华的GaN器件在PD快充行业已经收获较多客户，CoreGaN产品为客户提供了更高频高效的快充解决方案。能华的增强型GaN器件由于独特的高阈值电压特点，无需担心环路寄生导致的误触发开通，也无需特殊设计的负压关断电路，栅极和驱动可靠性较高，采用TO252封装可以更好地进行系统热管理，降低器件的温升，而且由于其封装的成本更低，这使得一些对成本比较敏感的行业，如适配器行业，也能体验GaN带来的优势，让氮化镓变得不再是高不可攀的半导体开关器件。